Hynix半导体向三星电子发出挑战
(2006.01.05 12:04)
Hynix5日表示，决定与以色列的NAND闪存开发企业M-Systems共同开发Fusion内存类的DOC H3内存。
Fusion内存是将DRAM和闪存等多种内存和数字逻辑等融合在一起的半导体。以通信为主要功能的既有手机多数采用了读取数据速度快的NOR闪存，最近随着手机增加了多媒体功能，一些产品开始使用存储功能优异的NAND闪存。Fusion内存就是在此趋势下将以上两种内存合二为一、提高效率的复合产品。
DOCH3将把内装易于高度集成的NAND闪存和SRAM的控制器封装在一起。据悉，Hynix的产品不仅能提供数据存储功能，还将提供稳定的载入功能。由此，该产品有望成为PDA手机和GPS等下一代手机或数码家电的主流内存。
两家公司计划在今年第一季度推出样品，自第二季度开始批量生产。
《中文朝鲜》
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